стохастическая модель распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике, анализ и обработка информации, производная Нельсона–Гликлиха, уравнения соболевского типа
Аннотация
Cтатья посвящена анализу и обработке информации для стохастической модели, основанной на уравнении распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике с производной Нельсона–Гликлиха и начальным условием Шоуолтера–Сидорова. Под полупроводником мы будем понимать вещества, обладающие конечной электропроводностью, быстро возрастающей с ростом температуры. Предполагается, что на экспериментальные начальные данные возможно влияние случайных помех, которые приводят к исследованию стохастической модели. В работе приведен анализ полученной стохастической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике. Найдены условия, при которых существует потраекторное существование решений исследуемой модели с начальным условием Шоуолтера–Сидорова. На базе теоретических результатов разработан алгоритм численного анализа системы и представлена его реализация в виде вычислительного эксперимента, который необходим для дальнейшей обработки информации.
Биография автора
Ксения Владимировна Перевозчикова, Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск
старший преподаватель, кафедра уравнений математической физики
