Влияние размерных параметров пор на механизмы формирования нанопленочных покрытий на подложках пористого оксида алюминия

Авторы

  • Александр Васильевич Вахрушев Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова
  • Алексей Юрьевич Федотов Институт механики УрО РАН
  • Александр Валерьевич Северюхин Институт механики УрО РАН
  • Ришат Галеевич Валеев Физико-технический институт УрО РАН

DOI:

https://doi.org/10.14529/mmp170207

Ключевые слова:

моделирование, молекулярная динамика, модифицированный метод погруженного атома, нанопленки, пористый оксид алюминия

Аннотация

Предложена методика моделирования формирования эпитаксиальных нанопленок на основе матрицы пористого оксида алюминия. Приводится постановка задачи и описываются уравнения многочастичного потенциала, соответствующего модифицированному методу погруженного атома. Осаждаемые нанопленки были образованы атомами железа, золота, германия, серебра, галлия и палладия. Проведенные исследования показали наличие различных механизмов формирования нанопленок на пористых подложках в зависимости от типа эпитаксиальных атомов. В некоторых случаях пора почти полностью заполнялась осаждаемыми атомами, в других пора оставалась открытой. Для всех типов атомов единичные атомы достигали дна поры. При нанесении атомов галлия на подложку наблюдалось наиболее полное и плотное заполнение поры. Пористые подложки с нанесенными нанопленками могут рассматриваться как массив квантовых точек и использоваться для получения оптических и электрических эффектов. При исследовании заращивания атомами галлия покрытий с порами различного размера было получено, что активный рост количества атомов в поре происходит в начальные периоды времени. Дальнейшее заращивание поры сопровождается перестройкой атомарной структуры, что соответствует стабилизации зависимостей, и небольшим уменьшением процента атомов галлия, проникших внутрь поры. Стабилизация центра масс осаждаемых атомов происходит на разной глубине поры. Для пор радиусом 2-3 нм центр масс формируется выше середины глубины поры. С ростом размера поры центр масс начинает образовываться вблизи середины глубины поры. Приведенные методики и полученные результаты могут быть применены при разработке новых перспективных слоистых композитов на основе пористых подложек, изучении их характеристик, а также для проектирования нанопленочных материалов и алгоритмов прогнозирования свойств.

Биографии авторов

Александр Васильевич Вахрушев, Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова

доктор физико-математических наук

Алексей Юрьевич Федотов, Институт механики УрО РАН

кандидат  физико-математических наук

Александр Валерьевич Северюхин, Институт механики УрО РАН

кандидат  физико-математических наук

Ришат Галеевич Валеев, Физико-технический институт УрО РАН

кандидат  физико-математических наук

Библиографические ссылки

Chapurina, Yu. Synthesis of Thrombolytic Sol-Gel Coatings: Toward Drug-Entrapped Vascular Grafts / Yu. Chapurina, V.V. Vinogradov, A.V. Vinogradov, V.E. Sobolev, I.P. Dudanov, V.V. Vinogradov // Journal of Medicinal Chemistry. - 2015. - V. 58, № 17. - P. 6313-6317.

Ying, J.Y. Nanoporous Systems and Templates the Unique Self-Assembly and Synthesis of Nanostructures / J.Y. Ying // Science Spectra. - 1999. - V. 18. - P. 56-63.

Li, A.P. Hexagonal Pore Arrays with a 50-420 nm Interpore Distance Formed by Self-Organization in Anodic Alumina / A.P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch, U. Gosele // Journal of Applied Physics. - 1998. - V. 84, № 11. - P. 6023-6026.

Doroshenko M.N., Gerasimchuk A.I., Mazurenko E.A. [Catalytic Effect of Surface on PE MOCVD-Synthesis of Germanium Nanotubes]. Chemistry, Physics and Technology of

Surface, 2013, vol. 4, no. 4, pp. 366-372.

Mu, C. Controlling Growth and Field Emission Properties of Silicon Nanotube Arrays by Multistep Template Replication and Chemical Vapour Deposition / C. Mu, Y. Yu, W. Liao, X. Zhao, D. Xu // Applied Physics Letters. - 2005. - V. 87, № 11. - P. 113104.1-13104.3.

Melnik, Yu.V. AlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Grown by HVPE on SiC Substrates / Yu.V. Melnik, A.E. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.S. Zubrilov, I.P. Nikitina, K.V. Vassilevski, D.V. Tsvetkov, A.I. Babanin, Yu.G. Musikhin, V.V. Tretyakov, V.A. Dmitriev // Materials Research Society Symposium Proceedings. - 1998. - V. 482. - P. 245-249.

Nikolaev, A.E. GaN pn-Structures Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy / A.E. Nikolaev, Yu.V. Melnik, N.I. Kuznetsov, A.M. Strelchuk, A.P. Kovarsky, K.V. Vassilevski, V.A. Dmitriev // Materials Research Society Symposium Proceedings. - 1998. - V. 482. - P. 251-256.

Xu, H.J. Structure and Photoluminescent Properties of a ZnS/Si Nanoheterostructure Based on a Silicon Nanoporous Pillar Array / H.J. Xu, X.J. Li // Semiconductor Science and Technology. - 2009. - V. 24, № 7. - P. 075008.

Masuda, H. Highly Ordered Nanohole Arrays in Anodic Porous Alumina / H. Masuda // Ordered Porous Nanostructures and Applications. - Springer US, 2005. - P. 37-55.

Vakhrushev A.V., Fedotov A.Yu. [Investigation of Probability Distribution Laws of Structural Properties of Nanoparticles Simulated by Molecular Dynamics Method]. Computational continuum mechanics, 2009, vol. 2, no. 2, pp. 14-21.

Vakhrouchev, A.V. Computer Simulation of Nanoparticles Formation, Moving, Interaction and Self-Organization / A.V. Vakhrouchev // Journal of Physics: Conference Series. - 2007. - V. 61, № 1. - P. 26-30.

Vakhrushev A.V., Fedotov A.Yu., Shushkov A.A., Shushkov A.V. [Study of Process Formation of Metal Nanoparticles, Determination of Mechanical and Structural Parameters of Nanoobjects and Composites with Its]. Himicheskaya

Fizika i mezoskopiya [Chemical Physics and Mesoscopics], 2010, vol. 12, no. 4, pp. 486495. (in Russian)

Alikin V.N., Vakhrushev A.V., Golubchikov V.B., Lipanov A.M., Serebrennikov S.Yu. Razrabotka i issledovanie aerozol'nykh nanotekhnologiy. T. 3. Topliva. Zaryady. Dvigateli [Design and Research of Aerosol Nanotechnology. V. 3. Fuel. Charges. Engines]. Moscow, Engineering, 2010.

Vakhrushev A.V., Fedotov A.Yu. [Modelling of Composite Nanoparticle Formation from a Gas Phase]. International Scientic Journal for Alternative Energy and Ecology, 2007, no. 10, pp. 22-26. (in Russian)

Vakhrushev A.V., Severjuhin A.V., Severjuhina O.Yu. [Modelling Beginning Stage of Nanowhisker Si-Au Grown on Si Substrate]. Himicheskaya zika i mezoskopiya [Chemical Physics and Mesoscopics], 2010, vol. 12, no. 1, pp. 24-35. (in Russian)

Lennard-Jones, J.E. On the Determination of Molecular Fields. II. From the Equation of State of a Gas / J.E. Lennard-Jones // Proceedings of the Royal Society of London A. - 1924. - V. 106. - P. 463-477.

Stillinger, F.H. Computer Simulation of Local Order in Condensed Phases of Silicon / F.H. Stillinger, T.A. Weber // Physical Review B. - 1985. - V. 31, № 8. - P. 5262-5271.

Tersoff, J. New Empirical Approach for the Structure and Energy of Covalent Systems / J. Tersoff // Physical Review B. - 1988. - V. 37, № 12. - P. 6991-7000.

Daw, M.S. Semiempirical, Quantum Mechanical Calculations of Hydrogen Embrittlement in Metals / M.S. Daw, M.I. Baskes // Physical Review Letters. - 1983. - V. 50, № 17. - P. 1285-1288.

Daw, M.S. Model of Metallic Cohesion: The Embedded-Atom Method / M.S. Daw // Physical Review B. - 1989. - V. 39, № 11. - P. 7441-7452.

Daw, M.S. Embedded-Atom Method: Derivation and Application to Impurities, Surfaces, and Other Defects in Metals / M.S. Daw, M.I. Baskes // Physical Review B. - 1984. - V. 29, № 12. - P. 6443-6453.

Baskes, M.I. Modified Embedded-Atom Potentials for Cubic Materials and Impurities / M.I. Baskes // Physical Review B. - 1992. - V. 46, № 5. - P. 2727-2742.

Jelinek, B. Modified Embedded-Atom Method Interatomic Potentials for the Mg-Al Alloy System / B. Jelinek, J. Houze, S. Kim, M.F. Horstemeyer, M.I. Baskes, S.G. Kim // Physical Review B. - 2007. - V. 75, № 5. - P. 054106.

Kim, Y.-M. Modified Embedded-Atom Method Interatomic Potentials for Ti and Zr / Y.-M. Kim, B.-J. Lee, and M.I. Baskes // Physical Review B. - 2006. - V. 74, № 1. - P. 014101.

Vakhrushev A.V., Fedotov A.Yu., Severyukhin A.V., Suvorov S.V. [Simulation of Producing Special Nanostructural Layers in Epitaxial Structures for Thin Photoelectric Converters]. Himicheskaya zika i mezoskopiya [Chemical Physics and Mesoscopics], 2014, vol. 16, no. 3, pp. 364-380. (in Russian)

Vakhrushev A.V., Severyukhin A.V., Fedotov A.Yu., Valeev R.G. [Investigation of Deposition of Nanolms on a Porous Aluminium Oxide Substrate by Mathematical Modelling Techniques]. Computational Continuum Mechanics, 2016, vol. 9, no. 1, pp. 59-72. (in Russian)

Vakhrushev A.V., Fedotov A.Yu., Severyukhin A.V., Valeev R.G. [Simulation of the Deposition Process on a Substrate Nanolms of Porous Alumina]. Himicheskaya Fizika i mezoskopiya [Chemical Physics and Mesoscopics], 2015, vol. 17, no. 4, pp. 511-522. (in

Russian)

LAMMPS Molecular Dynamics Simulator [Электронный ресурс]. URL: http://lammps.sandia.gov (дата обращения: 25.05.2016).

VMD - Visual Molecular Dynamics. Theoretical and Computational Biophysics Group [Электронный ресурс]. URL: https://www.ks.uiuc.edu/Research/vmd (дата обращения: 25.05.2016).

Hoover, W. Canonical Dynamics: Equilibrium Phase-Space Distributions / W. Hoover // Physical Review A. - 1985. - V. 31, № 3. - P. 1695-1697.

Загрузки

Опубликован

2017-09-22

Выпуск

Раздел

Программирование