Вклад резонансного рассеяния носителей заряда в уширение кривой классического циклотронного резонанса в квазидвух- и трехмерных полупроводниках

Аннотация

Получены асимптотические формулы для уширения кривой поглощения классического циклотронного резонанса (ЦР) в условиях резонансного рассеяния электронов на атомах примеси. Расчеты проведены с учетом распределения Максвелла. Оценки показывают, что возможный резонансный уровень (~ 0, 06 мэВ) в квазидвумерных полупроводниках на порядок и два меньше чем в объемных (порядка мэВ). Это указывает на то, что область преобладания резонансного рассеяния  в квазидвумерных полупроводниках менее 1 K. Зафиксировано температурное «плато» 5 ÷ 12 K в 2D спектре поглощения, соответствующее «области непрозрачности». Обсуждаются пределы применимости полученных результатов.