Фоторезистивный эффект в плёнках Pb1–xCdₓS, полученных осаждением в вакууме

Авторы

  • Борис Григорьевич Полевой Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск
  • Данил Ильич Ненарокомов Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск
  • Дмитрий Евгеньевич Живулин Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск
  • Дмитрий Анатольевич Жеребцов Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск
  • Александр Геннадьевич Воронцов Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск
  • Дмитрий Юльевич Годовский ООО «Полин Разработки»

DOI:

https://doi.org/10.14529/mmph260109

Ключевые слова:

тонкие плёнки, осаждение в вакууме, фоторезистивные материалы, сульфид кадмия, сульфид свинца

Аннотация

Цель работы – получение тонких фоторезистивных плёнок сульфида свинца, допированного кадмием методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения в вакууме. Описаны методики твердофазного синтеза твердых растворов сульфида свинца-кадмия требуемого состава и спекания керамической мишени для dc-магнетронного распыления. Состав полученных мишеней соответствует гомогенному твердому раствору на основе галенита. Осаждение пленок Pb0,96Cd0,04S осуществлялось распылением керамической мишени магнетронным dc –распылением на подложки ситалла и кремния. Фазовый состав осажденных пленок соответствует составу распыляемой мишени. Полученные пленки обладают фоторезистивным эффектом. Определены отношения темнового сопротивления к световому, постоянные времени полученных фоторезистивных пленок. Пленки Pb0,96Cd0,04S на подложках кремния обладают большей чувствительностью по сравнению с пленками, осажденными на ситалл. Осаждение Pb0,88Cd0,12S и CdS осуществлялось электронно-лучевым испарением из графитового тигля. Плёнки Pb0,88Cd0,12S, осаждённые электронно-лучевым методом, фоторезистивного эффекта не проявили. Наилучшее отношение темнового сопротивления к световому и постоянную времени 25 мкс показали пленки Pb0,96Cd0,04S на подложке кремния.

Биографии авторов

Борис Григорьевич Полевой, Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры «Физика наноразмерных систем»

Данил Ильич Ненарокомов, Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск

инженер кафедры «Физика наноразмерных систем»

Дмитрий Евгеньевич Живулин, Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск

кандидат химических наук, научный сотрудник – РМЛ электромеханических, электронных и электрохимических систем, младший научный сотрудник лаборатории роста кристаллов, доцент кафедры «Материаловедение и физико-химия материалов»

Дмитрий Анатольевич Жеребцов, Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск

доктор химических наук, старший научный сотрудник кафедры «Материаловедение и физико-химия материалов», старший научный сотрудник лаборатории экологических проблем постиндустриальной агломерации

Александр Геннадьевич Воронцов, Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск

доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики наноразмерных систем

Дмитрий Юльевич Годовский, ООО «Полин Разработки»

доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник

Загрузки

Опубликован

2026-02-01

Выпуск

Раздел

Физика